KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Structural Analysis of ZnO Nanorods Grown on a ZnO Homo-Buer Layer by Using MOCVD
저자
S.-W. Han (Chonbuk National University)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2008
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
304-308(5쪽)
KCI 피인용횟수
3
제공처
Vertically well-aligned ZnO nanorods were fabricated on Al2O3 with ZnO homo-buer layers
or GaN interlayers by using a catalyst-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD).
X-ray diraction (XRD) measurements demonstrated that, compared with the nanorods grown
on the GaN interlayer, a substantial amount of structural disorders existed in the ZnO nanorods
grown on the ZnO homo-buer layer. Field-emission transmission electron microscope (FE-TEM)
measurements from the interfaces of the nanorods and the substrates also exhibited structural
disorders existing in the bottom part of the ZnO nanorods grown on the sapphire and on the
ZnO homo-buer layer while no distinguishable disorder was observed at the ZnO/GaN interface.
However, extended X-ray absorption ne structure measurements at the Zn K edge revealed that a
small, but distinguishable, amount of structural disorder existed in the Zn-O pairs in the beginning
of the nanorod growth. Our observation strongly suggests that structural strain due to the surface
roughness of the ZnO homo-buer layer and to the lattice mismatch between the ZnO and the GaN
mainly contributed to island growth in the beginning of the ZnO nanorod growth.
Vertically well-aligned ZnO nanorods were fabricated on Al2O3 with ZnO homo-buer layers
or GaN interlayers by using a catalyst-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD).
X-ray diraction (XRD) measurements demonstrated that, compared with the nanorods grown
on the GaN interlayer, a substantial amount of structural disorders existed in the ZnO nanorods
grown on the ZnO homo-buer layer. Field-emission transmission electron microscope (FE-TEM)
measurements from the interfaces of the nanorods and the substrates also exhibited structural
disorders existing in the bottom part of the ZnO nanorods grown on the sapphire and on the
ZnO homo-buer layer while no distinguishable disorder was observed at the ZnO/GaN interface.
However, extended X-ray absorption ne structure measurements at the Zn K edge revealed that a
small, but distinguishable, amount of structural disorder existed in the Zn-O pairs in the beginning
of the nanorod growth. Our observation strongly suggests that structural strain due to the surface
roughness of the ZnO homo-buer layer and to the lattice mismatch between the ZnO and the GaN
mainly contributed to island growth in the beginning of the ZnO nanorod growth.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | SCI 등재 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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