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PLD법으로 PES 기판 위에 제작된 Mg<sub>0.1</sub>Zn<sub>0.9</sub>O 박막의 제작 조건에 따른 특성 = The Characteristics of Mg<sub>0.1</sub>Zn<sub>0.9</sub>O Thin Films on PES Substrate According to Fabricated Conditions by PLD
저자
김상현 (한국해양대학교 전기전자공학부) ; 이현민 (한국해양대학교 전기전자공학부) ; 장낙원 (한국해양대학교) ; 박미선 (동의대학교 융합부품공학과) ; 이원재 (동의대학교 융합부품공학과) ; 김홍승 (한국해양대학교 나노반도체공학과) ; Kim, Sang-Hyun ; Lee, Hyun-Min ; Jang, NakWon ; Park, Mi-Seon ; Lee, Won-Jae ; Kim, Hong-Seung
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2013
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
602-607(6쪽)
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제공처
Concern for the TOS (Transparent Oxide Semiconductor) is increasing with the recent increase in interest for flexible device. Especially MgZnO has attracted a lot of attention. $Mg_xZn_{1-x}O$, which ZnO-based wideband-gap alloys is tuneable the band-gap ranges from 3.36 eV to 7.8 eV. In particular, the flexible substrate, the crystal structure of the amorphous as well as the surface morphology is not good. So research of MgZnO thin films growth on flexible substrate is essential. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen partial pressure on the structural and crystalline of $Mg_{0.1}Zn_{0.9}O$ thin films. MgZnO thin films were deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used XRD and AFM in order to observe the structural characteristics of MgZnO thin films. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap and transmittance. Crystallization was done at a low oxygen partial pressure. The crystallinity of MgZnO thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. MgZnO thin films showed high transmittance over 80% in the visible region.
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