SCOPUS
SCIE
PbS Quantum Dot Solar Cells Integrated with Sol–Gel-Derived ZnO as an n-Type Charge-Selective Layer
저자
Park, Hye-Yun ; Ryu, Ilhwan ; Kim, Jinhyun ; Jeong, Sohee ; Yim, Sanggyu ; Jang, Sung-Yeon
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2014
작성언어
-등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
17374-17382(9쪽)
제공처
소장기관
<P>ZnO thin films fabricated by a low-temperature sol–gel conversion method (L-ZnO) were employed as n-type electron-transporting layers (ETLs) in depleted-heterojunction quantum dot solar cells (DH-QDSCs). Thin films of PbS (∼200 nm) fabricated by spin-coating a colloidal PbS QD solution layer by layer were used as the p-type photoactive layers. The L-ZnO films functioned as efficient n-type ETLs by fully completely depleting the PbS active layers, and they displayed performances much higher than those of conventional ZnO nanoparticle-based ETLs. The morphologies and chemical compositions of the L-ZnO ETLs varied with the annealing conditions. These factors, in turn, had a marked effect on the charge-transfer characteristics at the L-ZnO/PbS interfaces of the DH-QDSCs. The power conversion efficiency (PCE) of the DH-QDSCs using the optimized L-ZnO films as ETLs was 3.93%, with the fill factor (FF) being 0.60, whereas the PCE of the cells using the ZnO nanoparticle-based films was 1.62%, with the FF being 0.53. Thus, the sol–gel-derived L-ZnO films, which could be fabricated using a simple, low-temperature, solution-based process, exhibited desirable performance as ETLs in DH-QDSCs.</P><P><B>Graphic Abstract</B>
<IMG SRC='http://pubs.acs.org/appl/literatum/publisher/achs/journals/content/jpccck/2014/jpccck.2014.118.issue-31/jp504156c/production/images/medium/jp-2014-04156c_0006.gif'></P><P><A href='http://pubs.acs.org/doi/suppl/10.1021/jp504156c'>ACS Electronic Supporting Info</A></P>
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