KCI등재
SCOPUS
Zn-Sn-O 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 대한 전자빔 조사의 영향 = Influence of Electron Beam Irradiation on the Electrical Properties of Zn-Sn-O Thin Film Transistor
저자
조인환 (한국원자력연구원 중성자응용기술부) ; 조경일 (한국기술교육대학교) ; 최준혁 (한국원자력연구원) ; 박해웅 (한국기술교육대학교) ; 김찬중 (한국원자력연구원) ; 전병혁 (한국원자력연구원) ; Cho1, In-Hwan ; Jo, Kyoung-Il ; Choi, Jun Hyuk ; Park, Hai-Woong ; Kim, Chan-Joong ; Jun, Byung-Hyuk 연구자관계분석
발행기관
학술지명
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2017
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Korean
주제어
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KCI등재,SCOPUS,ESCI
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학술저널
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216-220(5쪽)
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The effect of electron beam (EB) irradiation on the electrical properties of Zn-Sn-O (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process was investigated. As the EB dose increased, the saturation mobility of ZTO thin film transistors (TFTs) was found to slightly decrease, and the subthreshold swing and on/off ratio degenerated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level showed that the relative area of oxygen vacancies ($V_O$) increased from 10.35 to 12.56 % as the EB dose increased from 0 to $7.5{\times}10^{16}electrons/cm^2$. Also, spectroscopic ellipsometry analysis showed that the optical band gap varied from 3.53 to 3.96 eV with increasing EB dose. From the results of the electrical property and XPS analyses of the ZTO TFTs, it was found that the electrical characteristic of the ZTO thin films changed from semiconductor to conductor with increasing EB dose. It is thought that the electrical property change is due to the formation of defect sites like oxygen vacancies.
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2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.15 | 0.15 | 0.14 |
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0.14 | 0.13 | 0.255 | 0.03 |
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