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SCOPUS
열처리한 ZnSe 박막의 defect 연구 = Defect Studies of Annealed ZnSe Epilayers
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2002
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KCI등재후보,SCOPUS
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36-41(6쪽)
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The defects of ZnSe/GaAs epilayers treated in vacuum and in Zn, and
Seatmospheres, and grown by using hot wall epitaxy were
investigated by means of photoluminescence measurements at 10 K. The
dominant peaks at 2.7988 eV and 2.7937 eV obtained from the photoluminescence
spectrum of the as-grown ZnSe epilayer were found to be consistent, respectirely with the
upper and the lower polariton peaks of the exciton, I$_2$ (D$^\circ$, X),
bounded to the neutral donor associated with the Sevacancy. The exciton peak,
I$_1^d$, at 2.7812 eV was confirmed to be bound to the neutral acceptor
corresponding to the Znvacancy. This acceptor-impurity binding energy was
calculated to be 268 meV. The I$_1^d$ peak was dominantly observed in the
ZnSe/GaAs:Se epilayer treated in the Seatmosphere. This Se-atmosphere
treatment is thought to convert the ZnSe/GaAs:Se epilayer into a p-type and
the SA peak was found to be related to complex defects such as
(V$_{Se}$-V$_{Zn}$)-V$_{Zn}$.
HWE 방법으로 성장된 ZnSe/GaAs 박막은 진공과 Zn, Se 분위기 등에서 열처리되었고
이들의 10 K에서의 광발광 측정을 통하여 막 성장된 ZnSe 박막에 대한 결함이
논의되었다. 막 성장된 ZnSe 박막의 광발광 측정으로부터 얻어진 2.7988 eV과
2.7937 eV에서 우세한 봉우리들은 각각 upper polariton I$_2^U$와 lower polariton
I$_2^L$로 중성 주개 bound exciton I$_2$ (D$^\circ$,X)이며 그 기원은 V$_{Se}$로
연상된다. 또한 2.7812 eV에서 I$_1^d$의 exciton 봉우리는 V$_{Zn}$에 대응하는
중성 받개 bound exciton 발광으로 확인되었다. 중성 받개 bound exciton으로부터
얻어진 받개 불순물의 결합 에너지는 268 meV이였다. I$_1^d$ 봉우리는 Se 분위기
열처리를 한 ZnSe/GaAs:Se 박막에서 우세하게 관측되었는데 이것은 Se 분위기
열처리가 ZnSe/GaAs:Se 박막에서 p-형 반전이 일어나도록 한 것으로 여겨진다.
또한 SA 발광은 (V$_{Se}$-V$_{Zn}$)-V$_{Zn}$과 같은 복합적인 결함과 관련이
있음을 알았다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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