결정체 실리콘의 고유파장 센싱 능력 = Capability of Intrinsic Wavelength-Sensing of Crystalline Silicon
저자
전경남 (광주대학교 전자공학과)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1996
작성언어
Korean
KDC
323.000
자료형태
학술저널
수록면
447-456(10쪽)
제공처
재료를 투과하는 깊이가 빛의 파장에 따라 다르므로 센싱능력도 이에 따라 달라진다. 이 현상을 이용하여 실리콘으로 제작된 소자가 스펙트로미터와 같은 다중파장의 센싱에 응용될 수 있을지를 고찰해 보았다. 다중파장의 센싱에서의 문제점은 소자의 기하적인 형태와 설계에서만 유래되는 것이 아니고 실리콘 재료의 성질도 깊게 관여함을 이론적으로 밝혔다. 이상적인 소자의 방정식을 이용하여, 부적합 조건에서도 dc 광전류 데이터로부터 빛의 스펙트럼 정보를 얻어내기 위해서 해를 얻고자 하는 일련의 선형방정식이 심각한 부적합 조건속에 있음을 보였다. dc 대신 변조된 광전류 측정에서는 경계조건이 줄어들므로 보다 정확한 측정이 가능하여 파장의 분해능도 높아짐을 보여준다.
The sensing capability is attributable to the wavelength dependence on the depth to which radiation penetrates the material. silicon devices can utilize With this phenomenon can utilze silicon devices in sensing multiple wavelengths for applications such as spectrometer. It is theoretically demonstrated that the problems in sensing multiple wavelengths may not be only due to limitations in the devices geometry and design, but also due to the fundamental material properties of silicon themselves. Using ideal device equations, it is shown that the set of linear equations that needs to solved to extract the spectral information of light from dc photocurrent data is severely ill-conditioned. It is also shown the modulated, instead of dc, photocurrent measurements may lead to smaller condition numbers, and therefore can be used for detection with better accuracy and wavelength resolution.
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