SCOPUS
KCI등재
탄소/탄소 복합재에 화학증착된 탄화규소의 증착속도 및 막의 특성에 미치는 증착조건의 영향 = Effect of CVD Parameters on Deposition Rate and Thin Film Characteristics of the Chemical Vapour Deposited SiC on C / C Composites
저자
이보성 (충남대학교 공과대학 화학공학과) ; 유승곤 (충남대학교 공과대학 화학공학과) ; 이영석 (충남대학교 공과대학 화학공학과)
발행기관
학술지명
Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) (Korean Chemical Engineering Research)
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
KDC
570
등재정보
SCOPUS,KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1-8(8쪽)
제공처
소장기관
탄소/탄소 복합재의 내산화성 향상을 위하여 화학기상증착법에 의한 탄화규소막을 형성할 때 증착시간, 증착온도, 총 유속, 반응기체(MTS : CH₃SiCl₃)의 몰분율 등 여러 가지 증착변수가 증착속도에 미치는 영향을 측정하였다. MTS/H₂계에서 화학증착반응은 950℃ 이하의 온도구역에서는 주로 표면반응에 의해서 증착이 지배되고 그 이상의 온도에서는 주로 물질전달에 의해 지배되며 겉보기 활성화 에너지는 각각, 28.2 Kcal/mole과 4.5 Kcal/mole이였다. 증착된 증착층의 두께는 증착시간에 따라 일차식으로 증가하였으며, 화학 반응속도는 같은 반응조건에서는 시간에 따라 일정하였다. MTS의 몰분율이 증가함에 따라 증착속도가 역시 일차식으로 증가하였고 탄소/탄소 복합재의 내산화성은 초기 산화개시 온도가 450℃에서 820℃로 개선되었다.
The effect of different deposition parameters such as deposition time, deposition temperature, total flow rate, mole fraction of reactant(MTS : CH₃SiCl₃) on the deposition rate of SiC on carbon/carbon composites was studied to obtain information on the improvement of oxidation resistance. The deposition process was found out to be activated process with surface reaction as the limiting step up to 950℃, and to be process with mass transport limiting above 950℃. The apparent activation energy obtained were about 28.2 Kcal/mole, 4.5 Kcal/mole, respectively. The film thickness and deposition rate increased linearly with the deposition time. The deposition rate was increased with increasing the mole fraction of CH₃SiCl₃, too. The improvement of the oxidation resistance of carbon/carbon composites can be achieved since oxidation initiation temperature, increased from 450℃ to 820℃ after SiC deposition.
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