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CeO2 연마입자의 합성온도와 수계안정성이 CMP 특성에 미치는 영향 = Effects of Synthetic Temperature and Suspension Stability of CeO2 Abrasive on CMP Characteritics
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2003
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SCOPUS,KCI등재,SCIE
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11-171(161쪽)
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CMP(Chemical Mechanical Planarization) slurry for STI process is made by mechanically synthesized CeO2 as abrasive. The abrasive can be stabilized by electrostatic or steric stabilization in aqueous slurry, and steric stabilization is more effective for long-term stability. Blanket-type SiO2 and Si3N4 wafers are polished with CMP slurry containing CeO2 synthesized in 500oC or 700oC. Removal rate and surface uniformity of SiO2 and Si3N4 wafer and selectivity are influenced by synthetic condition of abrasive, suspension stability and pH of slurries.Key words; CeO2, Chemical mechanical planarization, Synthetic temperature, Suspension stability, pH
더보기기계적 방법으로 합성된 CeO2 분말을 연마입자로 하여 STI용 CMP 슬러리를 제조하였다. 연마입자는 정전기적 방법과 입체적 방법으로 수계에서 안정화 시킬 수 있었으며, 장기 안정성을 위해서는 입체적 방법에 의한 안정화가 유효하였다. 500oC와 700oC에서 합성된 CeO2를 이용하여 CMP 슬러리를 제조하고, SiO2와 Si3N4가 블랭킷 형태로 증착된 웨이퍼를 연마한 결과 연마능률과 선택비는 연마입자의 합성조건과 분산 안정성, 슬러리의 pH등에 의해 영향을 받았다.
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