CdS 단결정에서 Cd Vacancy Defect가 Photocnductivity에 미치는 영향(Ⅱ) = The Effect of Cd Vacancy Defect on the Photoconductivity in a CdS Single Crystal(Ⅱ)
육방정의 단결정 CdS를 같은 크기로 잘라 진공중과 공기중에서 각각 하나씩 열처리 하였다. 열처리된 시료의 광전류를 400nm에서 1800nm까지 측정하였다. 그 결과 적외선 소광효과로부터 모체의 결합인 이온화된 V_cd 준위와 V_se 준위를 알게 되었다. 온도에 따른 이동도를 Van der Pauw 방법으로 측정한 결과 150K에서 300K 사이에서는 이동도가 polar 산란에 따라 감소하고 30K에서 120K 사이에서는 piezoelectric 산란에 따라 감소함을 알게 되었다.
A hexagonal CdS crystal was cut in half, each to be annealed either in a vacuum or air.
Photocurrents were measured on the annealed samples in the wavelength range of 400 nm to 1800 nm.
From the IR quenching effect, energy levels of ionized V_Cd and V_Se due to native defect were identified.
Mobility measurement as a function of temperature using van der Pauw's method shows that in the temperature range of 150 K to 300 K it decreases due to polar scattering, whereas in the range of 30 K to 120 K decreasing due to piezoelectric scattering.
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