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IPG 트랜지스터 제작을 위한 공정개발 연구 = A Study on the Process Development for the Fabrication of IPG Transistor
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학술지명
電子工學會論文誌 IE (Industry electronics)(Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea)
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2003
작성언어
Korean
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
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8-14(7쪽)
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Transistor using in next generation VLSI will be scaled down its channel length of nano level. In directly writing the focus line of a few ten nanometer level by FIB(focussed ion beam) system, it define insulating lines into two-dimensional electronic layer in semiconductor. It is researched and developed that IPG(In-Plane-Gate) transistor written by FIB can be realized on SOI(silicon-on- insulator) wafers in various method. IPG transistors are devices with source, drain and gate laying in one plane. They are separated by writing insulating line into a very thin conducting sheet or a two-dimensional free electron gas, located a few 10nm below the surface of SOI(Silicon on Insulator) wafer. In this paper, we studied the development about such the various process as the pattern design of IPG transistor, the RIE of silicon surface, the thermal doping of P for two-dimensional electron gas to form the conducting channel of Source/Drain region on SOI wafer, the scan characteristics of Ga+ ion by FIB system.
더보기차세대 VLSI에 사용될 트랜지스터는 그 채널길이가 나노(nano)급의 규모로 축소되어 제작되어야 하는데, 최근 이 나노 소자는 반도체 내의 2차원적인 전자층을 집속이온빔(FIB) 시스템에 의한 수 십 nm의 폭을 갖는 절연선의 직접 묘화 방식으로 게이트, 소스 및 드레인 영역이 하나의 평면 위에 정의되는 동일평면 게이트(IPG) 방식의 트랜지스터가 다양한 구조로 연구되고 있다. 본 논문에서는 SOI웨이퍼 표면 층에 정의될 IPG 트랜지스터의 패턴설계, 실리콘 표면의 반응성 이온 식각(RIE), 소스/드레인 영역의 도전성 채널로 이용될 2차원적인 전자층을 위한 인(P)의 열적 도핑, 집속이온빔 시스템에 의한 Ga+이온의 스캔(scan) 특성 등 IPG 트랜지스터 제작을 위한 여러 가지 공정을 고찰하였다. IPG 트랜지스터의 형상, 실리콘 두께에 따른 종횡비, 이온 도즈량에 따른 특성, 열처리조건 등의 결과를 얻었다. 이 결과는 IPG트랜지스터의 제작에 유용한 정보가 될 것으로 생각된다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - IE</br>외국어명 : The institute of Electronics Engineers of korea | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2006-03-24 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - IE</br>외국어명 : The institute of Electronics Engineers of korea | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) | KCI후보 |
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