SCOPUS
SCIE
Preparation of Bismuth Telluride Films with High Thermoelectric Power Factor
저자
Na, Jongbeom ; Kim, Younghoon ; Park, Teahoon ; Park, Chihyun ; Kim, Eunkyoung
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2016
작성언어
-주제어
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면
32392-32400(9쪽)
제공처
<P>Highly conductive n-type Bi2Te3 films on a flexible substrate were prepared via electrodeposition followed by a transfer process using an adhesive substrate. The growth of the Bi2Te3 crystals was precisely controlled by an electrochemical deposition potential (V-dep), which was critical to the preferred orientation of the crystal growth along the (110) direction and thus to the properties of a flexible thermoelectric generator (FTEG). A Bi2Te3 film prepared under V-dep of 0.02 V showed high electrical conductivity (691 S cm(-1)) with a maximum power factor of 1473 mu W m(-1) K-2, which is the highest among the Bi2Te3 films prepared by the electrodeposition methods. As-prepared FTEG was bendable, showing only a small resistance change after 300 repeated bending cycles. Combined with the n-type Bi2Te3 FTEG, a prototype p-n-type flexible thermoelectric (pn-FTEG) was prepared using p-type poly(3,4-ethylene dioxythiophene)s. The pn-FTEG (5-couples) generated an output voltage of 5 mV at Delta T = 12 K with high output power of 56 nW (or 105 nWg(-1)). These results indicate that the FTEG can reproducibly work well in a bent state and has high application potential for harvesting thermal energy from curved sources such as human body temperature.</P>
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