KCI등재
SCOPUS
혼합소스 HVPE 방법에 의한 PSS 위의 AlN 에피층 성장 = Growth of an AlN Epilayer on a Patterned Sapphire Substrate by Using Mixed-Source HVPE
저자
전인준 (한국해양대학교) ; 이찬빈 (한국해양대학교) ; 배숭근 (한국해양대학교) ; 이강석 (한국해양대학교) ; 양민 (한국해양대학교) ; 이삼녕 (한국해양대학교) ; 안형수 (한국해양대학교) ; 전헌수 (한국해양대학교 화합물반도체공정교육센터) ; 유영문 (부경대학교 LED 해양융합기술연구센터) ; 김석환 (안동대학교) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2016
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
1391-1396(6쪽)
KCI 피인용횟수
2
제공처
소장기관
AlN has many advantages for ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs). But an AlN epilayer has not been successfully grown on a PSS (patterned sapphire substrate). In this research, AlN epilayers were grown on cone-shape c-plane PSS by using a mixed-source HVPE (hydride vapor-phase epitaxy). The surface morphologies and the crystal structures of the AlN epilayers grown by using a mixed source with metallic Al and Ga sources were investigated by SEM (scanning electron microscopy) and XRD (X-ray diffraction). SEM images showed that the flat c-plane of an AlN epilayer was grown on a PSS around a cone and that the growth rate of the AlN epilayer increased when the Ga/Al ratio of the mixed source was increased. The XRD results showed that c-plane AlN was grown dominantly by using mixed sources with low Ga/Al ratios below 0.1, GaN epilayers were dominantly grown by using mixed sources with high Ga/Al ratios above 0.4. On the other hand, the growth rate for a high Ga/Al ratio was higher than that for a low Ga/Al ratio. Therefore, to optimized Ga/Al ratios of 0.05 $\sim$ 0.2, one can expect to grow in a short growth time a single-crystal flat AlN epilayer on a PSS.
더보기본 연구에서는 원뿔 형태의 PSS(patterned sapphire substrate) 위에 혼합소스를 사용한 수소화물 기상 에피택시(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)로 AlN 에피층을 성장시켰다. Al 금속 원료에 Ga 을 첨가한 혼합소스 Ga/Al 비율을 변화하였으며 성장된 AlN 에피층의 표면형상과 결정성을 확인하였다. 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM)으로 관찰한 결과 PSS를 덮는 c면 AlN 평탄면이 형성됨을 확인하였고, Ga/Al 비가 늘어날수록 성장률이 증가하는 것을 보았다. X선 회절(X-ray diffraction, XRD) 측정결과 Ga/Al 비가 0.1 이하로 낮은 혼합소스로 성장시킨 경우 AlN의 c면 성장이 우세하게 성장 되었고, Ga/Al 비가 0.4 이상인 경우에는 GaN 에피층이 빠르게 성장됨을 확인하였다. 반면 Ga/Al 비가 높아지면서 에피층의 성장률도 증가하였다. 이러한 결과들을 통해 최적화된 Ga/Al 비율이 0.05 $\sim$ 0.2의 혼합소스를 사용한다면 PSS 위에 평탄한 단결정 AlN 에피층을 성장시킬 수 있음을 알 수 있었다.
더보기분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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