KCI등재
단결정 실리콘에서 산소농도에 따른 산소석출결함 변화와 태양전지 효율에 미치는 영향 = Effect of oxygen concentration and oxygen precipitation of the single crystalline wafer on solar cell efficiency
저자
이송희 (웅진에너지(주)) ; 김성태 (웅진에너지(주)) ; 오병진 (웅진에너지(주)) ; 조용래 (웅진에너지(주)) ; 백성선 (웅진에너지(주)) ; 육영진 (웅진에너지(주)) ; Lee, Song Hee ; Kim, Sungtae ; Oh, Byoung Jin ; Cho, Yongrae ; Baek, Sungsun ; Yook, Youngjin 연구자관계분석
발행기관
학술지명
한국결정성장학회지(Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology )
권호사항
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2014
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,ESCI
자료형태
학술저널
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246-251(6쪽)
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최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 특히 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우 높은 효율을 낼 수 있는 소재로써 고효율 태양전지연구에 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 단결정으로 Czochralski(Cz)-Si 성장 시 산소농도를 다르게 하여 산소석출결함의 변화와 그에 따른 셀효율과의 관계를 비교하였다. 산소불순물은 Cz법으로 성장시킨 실리콘의 주된 불순물이다. 산소불순물 존재 시 태양전지 공정에서 산소석출결함이 생성되며 발생된 산소석출결함은 셀효율에 악영향을 미치게 된다. 그러므로 고효율 태양전지를 위한 웨이퍼를 생산하기 위한 산소석출결함 밀도와 셀효율의 상관성을 연구하였다. 또한 산소농도에 따른 산소석출결함을 분석하여 산소석출결함이 발생되지 않는 잉곳 내 산소농도 범위를 연구하여 14.5 ppma 이하에서 Bulk Micro Defect(BMD)가 발생하지 않음을 확인하였다.
더보기Recent studies have shown methods of improving solar cell efficiency. Especially on single crystalline silicon wafer which is high-efficiency solar cell material that has been widely studied. Interstitial oxygen (Oi) is the main impurity in the Czochralski (Cz) growing method, and excess of this can form precipitates during cell fabrication. We have demonstrated the effect of Oi impurity and oxygen precipitation concentration of the wafer on Cz-silicon solar cell efficiency. The result showed a decrease in cell efficiency as Oi and oxygen precipitation increase. Moreover, we have found that the critical point of [Oi] to bring higher cell efficiency is at 14.5 ppma in non-existent Bulk Micro Defect (BMD).
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2019-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
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2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | KCI후보 |
2012-03-29 | 학술지명변경 | 외국어명 : Jounal of Korea Associaiton of Crystal Gorwth -> Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
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2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.24 | 0.24 | 0.23 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.2 | 0.17 | 0.244 | 0.09 |
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