KCI등재
SCOPUS
유한 차분 시간 영역법을 이용한 반사방지 구조가 유기 발광 다이오드의 광효율에 미치는 영향에 대한 연구 = Study on the Effect of Anti-Reflection Structure on the Lighting Efficiency of Organic Light-Emitting Diodes Studied by Finite Difference Time Domain Method
저자
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2022
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
688-697(10쪽)
DOI식별코드
제공처
The effect of the anti-reflection layer constructed in terms of the cone-, parabola- and reverse(R)-parabola-shaped nano structures on the emitting efficiency of organic light emitting diodes(OLEDs) was studied by using the finite difference time domain method. The average reflectance of visible light was sensitively changed depending on the pitch between the nano patterns, the reflectance being decreased substantially with decreasing pitch. The average reflectance of the glass substrate was 3.4% while the substrate with antireflection layers having a pitch of 200 nm showed average reflectance of 0.04–0.07%. The outcoupling efficiency of a basic OLED was ~22.5%, while that of the OLED with antireflection layers formed on the substrate was 24.3–24.6%, which showed approximately 8–9% improvement in the outcoupling efficiency. When the anti-reflection structure is applied to the OLED, more light trapped in the glass substrate can be extracted compared to the basic OLED which is due to the gradual change in the refractive index at the air-substrate interface and the resulting decrease in the Fresnel reflection.
더보기본 연구에서는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)의 발광 효율에 대한 원뿔형, 포물면형, 그리고 음각의 포물면형 등 세 종류의 반사방지층의 영향을 유한 차분 시간 영역법을 이용하여 분석하였다. 반사방지구조를 이루는 각 패턴의 피치에 따라 평면파로 입사되는 빛의 평균 반사율이 크게 변했는데 패턴 사이 간격이 줄어들수록 평균 반사율은 감소했다. 반사 방지 구조가 없는 실리카 기판의 평균 반사율은 3.4%였으며, 반사방지 구조가 적용되면 평균 반사율은 0.04–0.07% 정도로 낮아졌다. 기본 OLED의 광 추출효율이 ~22.5%인데 비해 200 nm 피치의 반사 방지구조가 적용된 OLED의 광추출 효율은 24.3–24.6% 정도로 기본 OLED의 효율에 비해 약 8–9% 정도 향상됨을 확인하였다. OLED에 반사방지 구조가 적용되면 공기와 기판의 계면에서 굴절률이 점진적으로 변화하면서 프레넬 반사를 줄여 유리 기판에 갇힌 빛의 추출에 기여할 수 있지만, 추가적인 개선을 위해서는 OLED 내부에서 형성되는 전자기 복사의 패턴과 나노구조물 사이의 상호작용에 대한 보다 면밀한 분석이 필요할 것으로 판단된다.
더보기분석정보
서지정보 내보내기(Export)
닫기소장기관 정보
닫기권호소장정보
닫기오류접수
닫기오류 접수 확인
닫기음성서비스 신청
닫기음성서비스 신청 확인
닫기이용약관
닫기학술연구정보서비스 이용약관 (2017년 1월 1일 ~ 현재 적용)
학술연구정보서비스(이하 RISS)는 정보주체의 자유와 권리 보호를 위해 「개인정보 보호법」 및 관계 법령이 정한 바를 준수하여, 적법하게 개인정보를 처리하고 안전하게 관리하고 있습니다. 이에 「개인정보 보호법」 제30조에 따라 정보주체에게 개인정보 처리에 관한 절차 및 기준을 안내하고, 이와 관련한 고충을 신속하고 원활하게 처리할 수 있도록 하기 위하여 다음과 같이 개인정보 처리방침을 수립·공개합니다.
주요 개인정보 처리 표시(라벨링)
목 차
3년
또는 회원탈퇴시까지5년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한3년
(「전자상거래 등에서의 소비자보호에 관한2년
이상(개인정보보호위원회 : 개인정보의 안전성 확보조치 기준)개인정보파일의 명칭 | 운영근거 / 처리목적 | 개인정보파일에 기록되는 개인정보의 항목 | 보유기간 | |
---|---|---|---|---|
학술연구정보서비스 이용자 가입정보 파일 | 한국교육학술정보원법 | 필수 | ID, 비밀번호, 성명, 생년월일, 신분(직업구분), 이메일, 소속분야, 웹진메일 수신동의 여부 | 3년 또는 탈퇴시 |
선택 | 소속기관명, 소속도서관명, 학과/부서명, 학번/직원번호, 휴대전화, 주소 |
구분 | 담당자 | 연락처 |
---|---|---|
KERIS 개인정보 보호책임자 | 정보보호본부 김태우 | - 이메일 : lsy@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0439 - 팩스번호 : 053-714-0195 |
KERIS 개인정보 보호담당자 | 개인정보보호부 이상엽 | |
RISS 개인정보 보호책임자 | 대학학술본부 장금연 | - 이메일 : giltizen@keris.or.kr - 전화번호 : 053-714-0149 - 팩스번호 : 053-714-0194 |
RISS 개인정보 보호담당자 | 학술진흥부 길원진 |
자동로그아웃 안내
닫기인증오류 안내
닫기귀하께서는 휴면계정 전환 후 1년동안 회원정보 수집 및 이용에 대한
재동의를 하지 않으신 관계로 개인정보가 삭제되었습니다.
(참조 : RISS 이용약관 및 개인정보처리방침)
신규회원으로 가입하여 이용 부탁 드리며, 추가 문의는 고객센터로 연락 바랍니다.
- 기존 아이디 재사용 불가
휴면계정 안내
RISS는 [표준개인정보 보호지침]에 따라 2년을 주기로 개인정보 수집·이용에 관하여 (재)동의를 받고 있으며, (재)동의를 하지 않을 경우, 휴면계정으로 전환됩니다.
(※ 휴면계정은 원문이용 및 복사/대출 서비스를 이용할 수 없습니다.)
휴면계정으로 전환된 후 1년간 회원정보 수집·이용에 대한 재동의를 하지 않을 경우, RISS에서 자동탈퇴 및 개인정보가 삭제처리 됩니다.
고객센터 1599-3122
ARS번호+1번(회원가입 및 정보수정)