KCI등재
SCOPUS
SCIE
Thermoelectric transport properties of S-doped In0.9Si0.1Se
저자
Kim Dong Ho (Department of Materials Science and Engineering , University of Seoul) ; Kim Hyun-Sik (Department of Materials Science and Engineering , Hongik University) ; Rahman Jamil Ur (Department of Physics , University of Oslo) ; 신원호 (광운대학교) ; Kim TaeWan (Jeonbuk National University) ; 김상일 (서울시립대학교)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2022
작성언어
English
주제어
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
64-69(6쪽)
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Layered metal chalcogenides with highly promising thermoelectric properties have attracted attention owing to their intrin- sically low thermal conductivity, which originates from their unique layered structure and van der Waals bonding. InSe, a post-transition metal chalcogenide, also has layered atomic structure and low thermal conductivity. We investigate the eff ects of S doping of Si-doped InSe, In 0.9 Si 0.1 Se. The S-doped In 0.9 Si 0.1 Se exhibits enhanced thermoelectric properties, with a higher power factor and lower thermal conductivity compared to Si-doped InSe. A signifi cant increase in carrier mobility has an overall positive eff ect on the electronic transport properties, resulting in a systematic increase in power factor from 0.05 to 0.15 mW/mK 2 with S doping. In addition, the thermal conductivity systematically decreases with S doping owing to additional point-defect scattering. Because of the higher power factor and lower thermal conductivity, the thermoelectric fi gure of merit of the In 0.9 Si 0.1 Se 0.9 S 0.1 sample at 735 K was 0.18, which is 3.6 times that of In 0.9 Si 0.1 Se.
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