Na^+이온이 다공질 실리콘의 Electroluminescence 특성에 미치는 영향 = Influences of the Na^+ Ion on the Characteristics of Electroluminescence from the Porous Silicon and Electrolyte Interface
저자
발행기관
公州大學校 基礎科學硏究所(Research Institute for Basic Science Kongju National University)
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
KDC
420.000
자료형태
학술저널
수록면
13-20(8쪽)
제공처
소장기관
p형 단결정 규소 기판을 10%HF-ethanol 용액에서 양극처리하여 표면에 다공질 규소층 (porous Si layer)을 형성시키고, 0.2M Na2SO4용액에서 양극산화시켜 다공질 규소/전해질 계면에서 일어나는 EL을 관찰하였다.
EL은 양극산화의 진행에 따라 강도가 점차 증가하여 포화되었다가 사라졌으며, 발광 도중에도 봉우리 파장은 단파장 쪽으로 이동하였다. 이러한 현상은 다공질층의 표면에 존재하는 Si-H결합의 규소밀도와 양자 크기 효과의 증대로 설명할 수 있었다.
그리고 EL의 봉우리 파장은 다공질 규소층의 형성 시간이 길수록 장파장 쪽으로 이동하였으며, 이것은 접촉 전해질에 들어 있는 Na+이온의 영향으로 해석되었다.
Porous Si layers(PLS) were formed on the degenerated p-type(100) Si wafers by electrochemical anodization in 10% HF-ethanol solution. Electroluminescence(EL) from PLS/electrolyte interface by anodic oxidation in 0.2M Na2SO4 solution was investigated.
EL increased, saturated, and finally diminished as anodic oxidation proceeded. The longer preparation time, the lower emitted photon energy, the shorter duration of EL, and the bigger total integrated intensity.
Red shift of peak wavelength of EL was interpreted as a influence of Na+ ions in electrolyte solution. The proportionality of intensity and duration of EL, and blue shift of the peak wavelength during oxidation were discussed in terms of Si-H bonds on PSL and ehancement of quantum size effect.
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