KCI우수등재
SCOPUS
일반 현미경용 유리에 증착시킨 Indium - Tin Oxide 박막의 제작 및 특성
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학술지명
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발행연도
2000
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
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수록면
30-35(6쪽)
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상용 유리 기판 위에 rf-magnetron 스퍼터링을 이용하여 Indium-Tin Oxide(ITO) 박막을 증착시켰다. 기판의 온도는 300℃ 및 500℃, 산소 분압을 2, 3, 5%로하여 두께 2,000~2,400 Å이 되도록 증착시킨 ITO 박막의 특성을 Spectrophotometer, XRD, SEM, AFM 및 4-point probe, Hall effect 측정장치을 이용하여 분석하였다. 최적의 증착 조건은 기판 온도 500℃, 산소 분압 2~3%이었다. 이때 ITO 박막은 투과도 91%, 비저항 5.4×10^(-3)Ω㎝, 전하농도 l.0×10^(19) ㎝-³, 전하 이동도 150㎠/Vsec를 나타내었다. 또한 박막의 결정성은 (400) 및 (222) 방향이 주종을 이루었다. 기판을 사전 열처리 벚 화학 세척을 하지않고 단순히 초음파 세척만을 해 주었을 때, 투과도는 86%, 전하농도는 5.4×10^(19) ㎝-³, 전하이동도는 24 ㎠/Vsec인 ITO 박막을 얻을수 있었다.
더보기Indium-Tin Oxide (ITO) thin films were deposited on the commercial glass substrate by rf-magnetron sputtering. The ITO films with the thickness of 2,000~2,400 Å were prepared by changing the oxygen partial pressures of 2, 3, and 5%, as well as by changing the substrate temperature of 300℃ and 500℃. Spectrophotometer, XRD, SEM, AFM, 4-point probe and Hall effect system were employed to characterize the ITO films. The optimum deposition conditions were the substrate temperature of 500℃ and oxygen partial pressure of 2-3%. At these conditions, the ITO film showed the transmittance of 91%, the resistivity of 5.4×10^(-3) Ω-㎝, the carrier concentration of 10×10^(19)㎝-³, and the carrier mobility of 150 ㎠/Vsec. In XRD spectra, the (222) and (400) In₂O₃ planes were dominant under the optimum deposition conditions. When the substrate was cleaned only by the method of ultrasonic cleaning without both pre-annealing and chemical treatment of the substrate, the ITO film exhibited the transmittance of 86%, the carrier concentration of 5.4×10^(19)㎝-³ and the mobility of 24 ㎠/Vsec.
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