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탄화규소 (3C-SiC) 나노선 트랜지스터의 제작 및 2D ATLAS 시뮬레이션 비교 연구 = Fabrication of 3C-SiC Nanowire Field-effect Transistors and Their Simulation Study by Using the 2D ATLAS Simulator
We report on the electrical characteristics of 3C-SiC nanowire (NW)
field-effect transistors (FETs), which were prepared by using
conventional electron-beam lithography (EBL). The SiC NWs used in
the FETs were normally in the range of 40 $\sim$ 100 nm. In
addition, the current-voltage (I-V) characteristics of the SiC NW
FETs were compared with the simulated results. From the 2D ATLAS
simulation, the carrier mobility and the on/off ratio were estimated
to be $\sim$3.06 $\times$ 10$^3$ cm$^2$/V$\cdot$s and $\sim$ 6.16,
respectively. We also noticed that detailed studies, such as direct
doping and modulation of the doping in SiC NWs, are required for
further fabrication of high-performance SiC NW-based devices.
본 연구에서는 탄화규소 나노선 트랜지스터를 제작하여 실제 소자의
전기적인 특성을 분석하였으며 실험에서 나타난 결과를 2D ATLAS
시뮬레이션을 이용하여 비교하였다. 실험에서 제작된 탄화규소 나노선은
hot-wall 방식의 화학기상증착 방법을 이용하여 합성하였으며, 지름은 40
$\sim$ 100 nm 이다. 합성된 탄화규소 나노선을 후면 게이트 전계효과
트랜지스터 (back-gated field-effect transistors) 로 제작하였으며,
이를 2D ATLAS 시뮬레이션을 통해 탄화규소 나노선 트랜지스터 소자
동작특성을 비교 분석하였다. 2D ATLAS 시뮬레이션에서의 탄화규소
나노선의 길이와 채널의 길이, 지름은 제작된 소자와 같은 4 $\mu$m, 3
$\mu$m, 45 nm 이고, 일정한 전하 농도를 갖는다고 가정하였으며, 지름이
작아짐에 따라 나타나는 양자효과는 본 연구에서는 배제하였다.
실험결과와 시뮬레이션의 결과를 비교한 후 전하 농도가 1.5 $\times$
10$^{17}$ cm$^{-3}$ 일 때 전류 on/off ratio ($I_{on}/I_{off}$) 와
이동도 ($\mu$) 는 각각 6.16 과 3.06 $\times$ 10$^3$ cm$^2$/V$\cdot$s
를 갖는 소자 제작이 가능함을 알 수 있었다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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