KCI등재
SCI
SCIE
SCOPUS
Electrical Characteristics of AlxGa1-xN/GaN Heterostructure withIsoelectronic Al-Doped Channel for HFET Application
저자
이정희 ; Jae-Hee Park ; Jae-Hoon Lee ; Jae-Seung Lee ; Jong-Wook Kim ; Kye-Seok Lee ; Sung-Bum Bae ; Sung-Ho Hahm
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
2003
작성언어
English
등재정보
KCI등재,SCI,SCIE,SCOPUS
자료형태
학술저널
수록면
153-156(4쪽)
KCI 피인용횟수
2
제공처
Based on investigating the effects of isoelectronic Al-doping on
GaN film, a new layer structure is proposed for a heterostructure
field effect transistor (HFET) including an isoelectronic Al-doped
channel. The electron mobility measured at 77 (300) K
significantly increased from 145 (130) cm$^2$/V$\cdot$s in the
undoped sample to 823 (440) cm$^2$/V$\cdot$s in the Al-doped
sample grown with a trimethylaluminum flow rate of 3 $\mu$mol
/min, while maintaining the background doping concentration below
$\sim$ 6 $\times$ 10$^{16}$ cm$^{-3}$. Two-dimensional electron
gas mobilities of 1690 and 9280 cm$^2$/Vs were measured for a
25-nm Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/1-nm AlN/70-nm Al-doped channel/GaN
heterostucture at 300 and 77 K, respectively. The improved results
are explained based on a decrease in the compensating acceptors or
other defects associated with the formation of screw dislocation
due to the incorporation of Al in the channel layer, plus a
decrease in the alloy disorder scattering in the heterostructure
based on introducing a binary thin AlN layer between the
Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N and Al-doped channel layers.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | SCI 등재 (등재유지) | KCI등재 |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.47 | 0.15 | 0.31 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.26 | 0.2 | 0.26 | 0.03 |
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