KCI등재
비-휘발성 저항 변화 메모리 응용을 위한 WOx 물질의 전기적 특성 연구 = A Study of the Electrical Characteristics of WOx Material for Non-Volatile Resistive Random Access Memory
저자
석중현 (서울시립대학교) ; 정균호 (서울시립대학교 나노과학기술학과) ; 김경민 (서울시립대학교 나노공학과) ; 송승곤 (서울시립대학교 나노과학기술학과) ; 박윤선 (명지대학교 산업경영공학부) ; 박경완 (서울시립대학교) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2016
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
268-273(6쪽)
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In this study, we observed current-voltage characteristics of the MIM (metal-insulator-metal) structure. The WOx material was used between metal electrodes as the oxide insulator. The structure of the Al/WOx/TiN shows bipolar resistive switching and the operating direction of the resistive switching is clockwise, which means set at negative voltage and reset at positive voltage. The set process from HRS (high resistance state) to LRS (low resistance state) occurred at . The reset process from LRS to HRS occurred at . The on/off current ratio was about and resistive switching was performed for 5 cycles in the endurance characteristics. With consecutive switching cycles, the stable and were observed. The electrical transport mechanism of the device was based on the migration of oxygen ions and the current-voltage curve is following (Ohm’s Law → Trap-Controlled Space Charge Limited Current → Ohm’s Law) process in the positive voltage region.
더보기본 실험에서, 우리는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 전류-전압 특성들을 관찰하였다. 금속 전극들 사이에 산화 절연체로서 WOx 물질을 사용하였다. Al/WOx/TiN의 구조는 양극성 저항 변화 스위칭을 보여주고 저항 변화 스위칭의 동작 방향은 음의 전압에서 set, 양의 전압에서 reset인 시계 방향이다. 높은 저항 상태에서 낮은 저항 상태로 변하는 set 과정은 –2.6 V에서 일어났다. 낮은 저항 상태에서 높은 저항 상태로 변하는 reset 과정은 2.78 V에서 일어났다. On/Off 전류비는 10이었고, 내구성 특성을 위해 5번 주기의 저항 변화 스위칭을 실행하였다. 연속전인 스위칭 주기에 따라 안정적인 Vset과 Vreset은 관찰되었다. 소자의 전기적인 수송 메커니즘은 산소 이온들의 이동을 기초로 하며 전류 전압 곡선은 양의 전압 영역에서 (옴의 법칙 → 공간 전하 제한 전류 → 옴의 법칙) 과정을 따른다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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