KCI우수등재
SCOPUS
in - line XPS와 AFM을 이용한 유기물의 UV / ozone 건식세정과정 연구
저자
이경우(K. W. Lee) ; 황병철(B. C. Hwang) ; 손동수(D. S. Son) ; 천희곤(H. G. Chun) ; 김경중(K. J. Kim) ; 문대원(D. W. Moon) ; 안강호(K. H. Ahn)
발행기관
학술지명
권호사항
발행연도
1995
작성언어
Korean
등재정보
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
자료형태
학술저널
발행기관 URL
수록면
261-269(9쪽)
제공처
소장기관
본 실험에서는 실리콘 웨이퍼 위에 photoresist(PR)와 octadecyltrichlorosilane(OTS, CH₃(CH₂)_l7SiCl₃)를 입혀서 UV/ozone 처리를 하였을 때 어떻게 유기물질들이 UV/ozone과 반응하여, 어떻게 표면에서 제거되는지를 in-line으로 연결된 XPS로 분석하고 반응시킨 표면들의 거칠기(roughness)를 AFM을 이용하여 관찰하였다. 실험결과 상온에서 UV/ozone 처리를 했을 경우, PR과 OTS같은 유기물질이 표면에서 산화되는 것을 알 수 있었으나 이들이 제거되지 않고 표면에 그대로 남아있음을 알 수 있었다. 그러나 가열하면서(PR : 250℃, ORS : 100℃) UV/ozone 처리를 하였을 경우 표면에서 산화됨과 동시에 이들 산화물들이 표면에서 제거됨을 알 수 있었다. XPS 분석으로부터 이들의 산화 반응물은 PR과 OTS 모두 -CH₂- , -CH₂O- , =C=O, -COO-를 가지는 것으로 나타났으며, 열에너지에 의해서 이들이 표면에서 제거되는 것으로 나타났다. AFM 분석결과는 상온에서 UV/ozone 처리를 하였을 경우에 표면의 거칠기가 적은 반면, 가열하면서 UV/ozone 처리를 하였을 경우에는 표면의 거칠기가 다소 증가하였다.
더보기In this work, photoresist (PR) and octadecyltrichlorosilane (OTS, CH₃(CH₂)_17SiCl₃) on Si were removed by the UV/ozone cleaning method and the surfaces were analyzed byin-line XPS to study mechanisms how the organic films react with UV/ozone and removed from the surface. The surface topographic changes were also observed by AFM. UV/ozone treatments of PR and OTS films at room temperature resulted in the oxidation of the organic surface contaminants, which remained on the surface of the silicon substrates at room temperature. The PR and OTS were oxidized and desorbed very rapidly by UV/ozone treatment at 100℃ and 200~250℃, respectively. From the XPS analyses, it was found that PR and OTS were oxidized to compounds having -CH₂-, -CH₂O-, =C=O, -COO- and desorbed from the surface upon heating. Thd AFM results showed that the UV/ozone treatments of PR and OTS at room temperature did not increase the surface roughness, but the surface roughness was increased at the higher temperature(PR : 250℃, OTS : 100℃).
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