KCI등재
Al3+와 Y3+ 동시치환 SnO2 투명전극 박막의 전기적 특성 = Electrical Properties of Al3+ and Y3+ Co-doped SnO2 Transparent Conducting Films
저자
김근우 (창원대학교) ; 구본흔 (창원대학교) ; 서용준 (창원대학교) ; 성창훈 (창원대학교) ; 박근영 (창원대학교) ; 조호제 (창원대학교) ; 허시내 (창원대학교) 연구자관계분석
발행기관
학술지명
전기전자재료학회논문지(Journal of the Korean institute of electrical and electronic material engineers)
권호사항
발행연도
2012
작성언어
Korean
주제어
등재정보
KCI등재
자료형태
학술저널
수록면
805-810(6쪽)
KCI 피인용횟수
1
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제공처
Transparent conducting oxides (TCOs) have wide range of application areas in transparent electrode for display devices, Transparent coating for solar energy heat mirrors, and electromagnetic wave shield. SnO2 is intrinsically an n-type semiconductor due to oxygen deficiencies and has a high energy-band gap more than 3.5 eV. It is known as a transparent conducting oxide because of its low resistivity of 10-3 Ω·cm and high transmittance over 90% in visible region. In this study, co-doping effects of Al and Y on the properties of SnO2 were investigated. The addition of Y in SnO2 was tried to create oxygen vacancies that increase the diffusivity of oxygen ions for the densification of SnO2. The addition of Al was expected to increase the electron concentration. Once, we observed solubility limit of SnO2single-doped with Al and Y. {(x/2)Al2O3+(x/2)Y2O3}-SnO2 was used for the source of Al and Y to prevent the evaporation of Al2O3 and for the charge compensation. And we observed the valence changes of aluminium oxide because generally reported of valence changes of aluminium oxide in Tin - Aluminium binary system. The electrical properties, solubility limit, densification and microstructure of SnO2 co-doped with Al and Y will be discussed.
더보기투명전극박막은 디스플레이 소자, 태양전지 등 광범위하게 응용되고 있는 분야이다. 그 중 SnO2는 3.5eV이상의 높은 에너지 밴드갭을 가지며, 산소 결함 때문에 본질적으로 n-형 반도체이다. SnO2는 가시광선 영역에서 90%이상의 높은 투과율을 가지며 10-3Ω·cm의 낮은 비저항을 가지는 것으로 알려져 있다. 이번 연구에서는 SnO2에 Al과 Y의 동시 치환되었을 때 특성에 미치는 영향에 대해 알아보았다. Al2O3과 Y2O3 을 SnO2에 동시 치환하여 이온반경을 주격자 이온(Sn4+)과의 이온반경비를 유사하게 조절함으로써 Strain energy를 보다 감소시켜 고용영역을 확대하고자 하였다. 결론적으로 Al과 Y의 첨가량이 4 : 2일 때 평균이온 반경이 Sn4+과 가장 유사한 것으로 확인되었으며, 이에 가장 낮은 비저항값인 6.7×10-3Ω‧㎝를 가지는 n-형 투명전극이 형성되는 것이 확인되었다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2026 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | KCI등재 |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (계속평가) | KCI등재 |
2013-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | KCI등재 |
2010-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2005-05-30 | 학회명변경 | 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2001-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
1998-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.13 | 0.13 | 0.13 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.14 | 0.14 | 0.247 | 0.06 |
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