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실리콘 태양전지에서 Al2O3과 Ta2O5/Al2O3 패시베이션 박막의 전자구조 특성 = Electronic Properties of Al2O3 and Ta2O5/Al2O3 Passivation Layers in Silicon Solar Cell
In order to investigate the density of positive charge in a crystalline-silicon solar-cell passivation layer, we used X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), reflection electron energy loss spectroscopy (REELS), and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS) to study the properties of the electronic structures of Al$_2$O$_3$(AlO) and Ta$_2$O$_5$(TaO)/Al$_2$O$_3$ deposited as passivation layers on Si substrates. REELS results showed that the band gaps of the AlO/Si and the TaO/AlO/Si thin films were 6.63 eV and 4.26 eV, respectively. UPS results showed that the values of the work functions of the AlO/Si and the TaO/AlO/Si thin films were 5.54 eV and 5.91 eV, respectively. The flat-band voltage obtained from the capacitance and voltage characteristics increased from 0.72 V in the AlO/Si thin-film sample to 1.0 V in the TaO/AlO/Si thin-film sample, which means an increase in the density of positive charge. Also, the change in the flat-band voltage was confirmed to follow the same trend as the change in the work function.
더보기결정질 실리콘 태양전지 패시베이션 박막에 대전된 양전하의 밀집도를 알아보기 위하여, 단결정 Si 기판 위에 Al$_2$O$_3$, Ta$_2$O$_5$를 증착한 후, 박막의 전자구조 특성을 광전자분광법 (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS), 반사전자에너지손실분광법 (Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy, REELS) 및 자외선 광전자 분광법 (Ultraviolet Photoelectron spectroscopy, UPS)을 사용하여 연구하였다. AlO/Si 박막시료의 띠틈은 6.63 eV로 나타났으며 TaO/AlO/Si 박막시료의 띠틈은 4.26 eV로 나타났다. UPS를 이용하여 측정한 AlO/Si 박막시료의 일함수는 5.54 eV로 나타났으며, TaO/AlO/Si 박막시료의 경우에는 5.91 eV로 나타났다. 플랫밴드 전압은 AlO/Si 박막 시료에서 0.72 V, TaO/AlO/Si 박막시료에서 1.0 V로 증가하며, 이러한 증가는 양전하의 밀집도 증가를 의미한다. 또한 플랫밴드 전압의 변화가 일함수의 변화와 동일한 경향을 가짐을 확인하였다.
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연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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