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Dose Rate에 따른 Surface Roughness와 Depth Profile의 변화 = Surface Roughness and Depth Profile for Various Dose Rates
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발행연도
2006
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KCI등재,SCOPUS
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학술저널
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221-225(5쪽)
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2
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With the surface of Si(100) implanted with equal doses of As or P
ions, the surface roughness, the depth profile and the internal
damage in silicon for various dose rates (ion beam currents) was
investigated. 80 keV As ions at a dose of $5~\times~10^{13}~cm^{-2}$
and 50 keV P ions at a dose of $1\times10^{14}cm^{-2}$ were
implanted on the surface of the Si sample. For the As ions, the ion
currents were $11~\mu A$, $664~\mu A$, and $1390~\mu A$ and for the
P ions, the ion currents were $23~\mu A$, $851~\mu A$, and $1980~\mu
A$ to vary the dose rate while maintaining a constant dose. The
depth profile of the implanted ions obtained by using 1.9 keV Cs
primary ion bombardment was measured by using secondary ion mass
spectrometry. The surface roughness was measured by using atomic
force microscopy, and the damage inside the sample was measured by
using the thermal-wave signal. We confirmed that the depth profiles
and the ion-induced damage were different for the were different
dose rates, but equal doses.
일정한 양의 As이온과 P이온을 Si(100) 표면에 각각 주입할 경우에 dose
rate (이온 전류)의 변화에 따른 surface roughness와 깊이 방향 depth
profiling 및 시료내부에서의 damage의 변화를 측정하였다. As 이온을
80keV의 에너지로 $5~\times~10^{13}~cm^{-2}$의 dose량을 Si 표면에
주입하고, P이온을 50 keV의 에너지로 $1~\times~10^{14}~cm^{-2}$의
dose량을 각각 주입하였다. Dose량을 일정하게 유지 하면서 dose rate를
변화시키기 위하여 As 입사이온의 전류를 $11~\mu A$, $664~\mu A$,
$1390~\mu A$로 변화시켰다. P 이온의 전류는 $23~\mu A$, $851~\mu A$,
$1980~\mu A$로 변화시켰다. Depth profile은 1.9 keV의 Cs$^+$ 1차
이온을 이용한 SIMS로 측정하였다. Surface roughness는 AFM으로, 시료
내부의 damage는 Thermal Wave로 측정하였다. 이러한 모든 측정결과는
일정한 dose량을 시료표면에 주입하더라도 dose rate의 변화에 따라서
영향을 받는다는 것을 확인하였다.
분석정보
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | KCI등재 |
2016-09-05 | 학술지명변경 | 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli | KCI등재 |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | KCI등재 |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | KCI등재 |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | KCI후보 |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | KCI후보 |
1999-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | KCI후보 |
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.18 | 0.18 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.14 | 0.3 | 0.1 |
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